ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
พารามิเตอร์ | ข้อมูลจำเพาะ |
แบบอย่าง | ทีแม็กซ์-เอสดี-01 |
พิมพ์ | ระบบสปัตเตอร์ RF แมกนีตรอน |
ขนาดห้อง | 150 × 120 มม. |
วัสดุเป้าหมาย | เส้นผ่านศูนย์กลาง 50 มม. (โลหะและอโลหะ ความหนา: 1–2 มม.) |
พลังงาน RF | ปรับได้ (1–500 วัตต์) |
ความถี่ RF | 13.56 เมกะเฮิรตซ์ |
เครือข่ายการจับคู่ | แมตช์อิมพีแดนซ์อัตโนมัติ |
พื้นที่สปัตเตอร์ | 50 มม. |
เครื่องดูดฝุ่นขั้นสูงสุด | 5 Pa (ความดันฐาน) |
ก๊าซกระบวนการ | อาร์กอน ไนโตรเจน และก๊าซเฉื่อยอื่นๆ (อัตราการไหลปรับได้) |
อัตราการฝากสูงสุด | 8 นาโนเมตร/นาที |
คุณสมบัติหลักและแอปพลิเคชัน
1. การสปัตเตอร์ RF อเนกประสงค์ สำหรับโลหะและอโลหะ
· พลังงาน RF และการจับคู่อัตโนมัติ : RF 13.56 MHz พร้อมการจับคู่ค่าอิมพีแดนซ์อัตโนมัติ ช่วยให้การสปัตเตอร์ของวัสดุตัวนำและฉนวน (เช่น ออกไซด์ เซรามิก) มีเสถียรภาพ
· การใช้งานที่กว้างขวาง : เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการวิจัยฟิล์มบางขั้นสูงในเซมิคอนดักเตอร์ อุปกรณ์ออปติก และการเคลือบฟังก์ชัน
2. การควบคุมก๊าซที่แม่นยำและประสิทธิภาพสูญญากาศสูง
· การไหลของก๊าซเฉื่อยที่ปรับได้ : รองรับ Ar, N₂ และก๊าซเฉื่อยอื่นๆ สำหรับสภาพแวดล้อมการสะสมที่ควบคุมได้
· การสะสมความบริสุทธิ์สูง : สูญญากาศฐาน 5 Pa ลดการปนเปื้อนให้น้อยที่สุด ช่วยให้ฟิล์มเติบโตอย่างมีคุณภาพสูง
3. การทำงานที่เป็นมิตรต่อผู้ใช้และมีประสิทธิภาพ
· การเปลี่ยนเป้าหมายอย่างรวดเร็ว : เข้ากันได้กับเป้าหมายขนาด 50 มม. (หนา 1–2 มม.) สำหรับการทดสอบวัสดุที่มีความยืดหยุ่น
· สูตรกระบวนการที่ตั้งไว้ล่วงหน้า : บันทึกและเรียกคืนพารามิเตอร์สำหรับการทดลองและการผลิตที่ทำซ้ำได้
4. การสะสมที่เสถียรและความเร็วสูง
· อัตราการสะสมสูงสุด : 8 นาโนเมตร/นาที พร้อมความสม่ำเสมอของฟิล์มที่ยอดเยี่ยม
· การจับคู่อัตโนมัติ : ลดการปรับแต่งด้วยตนเองและเพิ่มเสถียรภาพของกระบวนการ
แอปพลิเคชันที่แนะนำ
✔ การวิจัยและพัฒนา : การศึกษาฟิล์มบางสำหรับสารกึ่งตัวนำ ไดอิเล็กตริก และการเคลือบออปติก
✔ การผลิตขนาดเล็ก : การสร้างต้นแบบและการใช้งานการเคลือบเฉพาะทาง
✔ การสปัตเตอร์วัสดุหลายชนิด : รองรับทั้งเป้าหมายที่เป็นโลหะและไม่ใช่โลหะสำหรับระบบวัสดุที่หลากหลาย
